AIワークロード向け最新メモリ製品を発表

Samsung Electronics（本社：韓国）は2026年8月5日、アメリカ カリフォルニア州で開催中の「Future of Memory and Storage 2026」（FMS 2026）において、垂直積層メモリ「zHBM」や、最新NANDフラッシュ「V10 BV-NAND」など、AIワークロード向け最新技術を発表した。

「zHBM」は、AIアクセラレーターの直上にメモリを垂直積層するHBMメモリの新技術。これまでのプロセッサの横に配置する設計に比べてデータ伝送距離を大幅に縮小することができる。

さらに次世代ウエハボンディング技術を組み合わせることで、HBM5に比べてパフォーマンスは約8倍、メモリ密度は10倍以上、エネルギー効率は3倍に向上。熱抵抗も半分以下に抑えられるようになり、AIアクセラレーターのメモリ容量拡張や性能を改善できる。

また、エッジAI環境向けにV-NAND技術をベースとした高リアルタイム・低遅延ソリューションとして4層および8層の積層構造を採用する「zNAND-O」も開発が進められている。

あわせて発表された「V10 BV-NAND」は、400層を超える最新NANDフラッシュ。新ウエハボンディング技術でメモリセルを積層することで、V9世代のNANDフラッシュに比べてメモリ密度は約58％向上した。

さらに読込・書込・I/O性能のいずれも向上しており、大容量かつ高性能なストレージが求められる高負荷なAIデータセンター需要に対応する。

文： 編集部 池西 樹
Samsung Electronics： https://www.samsung.com/