AI向けSSDを支える332層・第10世代BiCS FLASH

キオクシア株式会社（本社：東京都港区）は2026年7月3日、第10世代の3次元フラッシュメモリ技術「BiCS FLASH」を適用した、容量1TbのTLC製品のサンプル出荷を開始した。

AI向けストレージ需要に応えるエンタープライズ・データセンター向け高性能SSDへの採用を予定する。なお、生産は岩手県北上市の北上工場第2製造棟の最新設備で行われる。

第10世代BiCS FLASHは、第8世代から導入されているウエハーボンディング技術「CBA」（CMOS directly Bonded to Array）と、未使用のメモリホールを削除してビットライン短縮やワードライン容量削減を行う「OPS」（On Pitch Select Gate Drain）技術を活用しており、インターフェイス速度は第8世代比で33％向上となる4.8Gbpsに達する。

さらに積層数を332層にすることでビット密度は59％、データ転送時を含む電力効率は書込時18％、読出時30％改善しており、データセンターにおける消費電力の削減に貢献する。

なお、キオクシアでは投資コストを抑えつつ高性能化を図る第9世代と、多層化によって大容量・高性能を両立する第10世代の二軸による開発戦略を展開し、AIインフラを支える製品を提供していくという。

文： 編集部 池西 樹
キオクシア株式会社： https://www.kioxia.com/ja-jp/