投資コストを抑えながらAI向けストレージの高性能化を実現

キオクシア株式会社（本社：東京都港区）とSandisk Corporation（本社：アメリカ カリフォルニア州）は2026年8月12日、第9世代となる大容量2Tb QLC 3次元フラッシュメモリ技術を開発したと発表した。

AIインフラの急速な普及に伴う大容量ストレージ需要をターゲットにした新技術。第8世代から採用するウエハーボンディング技術「CBA」（CMOS directly Bonded to Array）を活用し、実績のあるメモリアレイと最新のCMOS技術を組み合わせることで、設備投資を抑えながら高性能化と早期の製品展開を実現する。

また6-plane構成と各種性能改善により、従来の第8世代2Tb QLCと比較して読込および書込帯域幅を向上。電力効率も改善したほか、NANDインターフェイス速度は第8世代比33％向上となる4.8Gbpsに達する。

CBAはCMOSウエハーとメモリセルアレイウエハーを個別に製造して貼り合わせる技術で、それぞれを独立して進化させられる点が特徴。既存のメモリアレイ技術と最新CMOS技術を柔軟に組み合わせることで、製造設備への投資効率を高めながら、市場ニーズに応じたフラッシュメモリを迅速に開発できる。

なおキオクシアでは、投資コストを抑えつつ高性能化を図る第9世代と、多層化によって大容量・高性能を両立する第10世代の二軸による開発戦略を展開。第10世代については332層の1Tb TLC「BiCS FLASH」のサンプル出荷をすでに開始しており、こちらもNANDインターフェイス速度は4.8Gbpsに対応する。

キオクシアとSandiskは今後もCBAの柔軟性を活用し、AI時代に拡大するストレージ需要に対応するフラッシュメモリ技術の開発を進めていく。

文： 編集部 松枝 清顕
キオクシア株式会社： https://www.kioxia.com/ja-jp/