最大容量512GB、帯域幅は最大3.0TB/s

SK hynix（本社：韓国）は2026年8月4日（現地時間）、アメリカ カリフォルニア州で開催中の「Future of Memory and Storage 2026」（FMS 2026）において、SanDiskと共同で開発を進めているAIワークロード向け広帯域フラッシュメモリ「High Bandwidth Flash」（HBF）の第1弾標準規格を発表した。

HBFは、HBMとSSDの性能ギャップを埋めるべく、新たなメモリ層として提案されている広帯域フラッシュメモリ。NAND技術を活用することで容量を大幅に拡大しつつ、HBMのような高速データ転送を実現しており、AIワークロードに求められる帯域幅と容量の課題を同時に解決する手法として期待されている。

今回の標準規格は、スタック構成が8層と16層のNANDダイをサポートし、最大容量は512GBまで対応。帯域幅は3段階に分類され、0.4TB/s程度から最大3.0TB/sまでをカバーする。さらにプロセッサとの相互接続には業界標準の「Universal Chiplet Interconnect Express」（UCIe）を採用し、GPUやCPUなど異なるチップとも柔軟に統合できる仕様にした。

また、従来比2.5倍の電力効率を実現するという、第10世代の375層4D NANDも同時に発表した。同技術を採用したデータセンター向けeSSDは2027年初頭より量産が開始される予定。

文： 編集部 池西 樹
SK hynix： https://www.skhynix.com/