HBM4から耐熱性は17％、電力効率は20％以上も向上

SK hynix（本社：韓国）は2026年6月18日、AIデータセンターや大規模コンピューティングシステム向け次世代DRAMメモリ「HBM4E」のサンプル出荷を開始した。

「Advanced MR-MUF」技術を採用しており、12層構造で48GBの大容量を実現するとともに、構造的な安定性を確保しているのが特徴。従来の「HBM4」と比較すると耐熱性は17％向上しており、高性能コンピューティング環境における安定動作を可能にしている。

また、ピンあたりのデータ処理速度は最大16Gbpsに達し、電力効率は従来モデルから20％以上も向上。AIのトレーニングや推論におけるメモリのボトルネックを解消し、データ処理能力を改善できる。

なお同社はHBM3、HBM3E、HBM4と3世代にわたり製品の量産・供給をしてきた経験を活かして、HBM4Eについても市場の要求に合わせて供給できるようパートナー企業とも密接に連携していくとしている。

文： 編集部 池西 樹
SK hynix： https://www.skhynix.com/