電力効率は「UFS 4.1」から40％以上も向上

Samsung Electronics（本社：韓国）は2026年6月23日、オンデバイスAI機能を搭載するハイエンドスマートフォンやモバイル機器向けストレージ「UFS 5.0」の開発に成功したと発表した。

JEDECの最新組み込み向けメモリインターフェイス規格に準拠しており、シーケンシャル読込最高10.8GB/s、書込最高9.5GB/sの高速データ転送が可能。前世代の「UFS 4.1」から2倍以上の高速化を達成しており、モバイルデバイス上で大規模言語モデル（LLM）を実行する場合のレイテンシを大幅に削減して、より素早い応答ができるようになる。

また、クロックゲーティングやマルチ電圧技術を導入したことで、電力効率は「UFS 4.1」から40％以上も向上。データ転送に必要な電力を大幅に削減することで、次世代モバイルデバイスのバッテリー寿命を延長できるという。

さらにパッケージサイズは7.5mm×13mm×0.9mmと前世代から16.7％の小型化されており、ウェアラブルデバイスや拡張現実（XR）ヘッドセットなど、内部スペースが限られる機器にも対応する。

容量は最大1TBまでラインナップしており、量産は2026年第4四半期より開始される予定。

文： 編集部 池西 樹
Samsung Electronics： http://www.samsung.com/