モバイルデバイスのさらなる大容量・高密度化が可能

キオクシア株式会社（本社：東京都港区）は2026年1月28日、QLC技術を採用したモバイル機器向けフラッシュメモリ「UFS4.1組み込み式フラッシュメモリ」のサンプル出荷を開始した。

第8世代BiCS FLASH 3次元フラッシュメモリを採用した製品で、従来のTLC UFSに比べて高密度化が可能。パッケージサイズも11×13mm→9×13mmに小型化され、モバイルデバイスのさらなる大容量・高密度化が可能になる。

またコントローラ技術やエラー訂正能力の改良により、前世代モデルに比べてシーケンシャル書込は約25％、ランダム読込は約90％、ランダム書込は約95％向上。さらにSSDの耐久性に影響のある書込増幅率は最大3.5倍も改善されている。

なお容量は512GBと1TBの2モデルがラインナップする。

文： 編集部 池西 樹
キオクシア株式会社： https://www.kioxia.com/ja-jp/