新工場の建設や既存工場の買収・転用も選択肢

台湾TSMC（本社：台湾・新竹市）が、次世代メモリ技術「3D DRAM」の製造参入を検討していると、米メディアのThe Informationが報じた。事情を直接知る関係者2人の話として伝えたもので、最大顧客であるNVIDIAの要請を受け、製造計画の策定に着手したという。

3D DRAMは、メモリセルを垂直方向に多層化して記録密度を高める次世代DRAM技術。複数のDRAMダイを積み重ねる広帯域メモリ（HBM）とは異なり、1枚のダイ内部に立体構造を形成する。Samsung Electronics、SK hynix、Micron Technologyなどの大手メモリメーカーも開発を進めている。

報道によると、TSMCは新たな製造工場を建設するほか、既存の半導体工場を買収し、メモリ生産向けに転用する案も検討している。ただし、生産開始時期や製造規模、設備投資額などは明らかにされていない。

AI向けサーバーの急速な需要拡大により、DRAMをはじめとするメモリの供給不足と価格上昇が続いている。TSMCの参入が実現すれば、ロジック半導体や先端パッケージングを主力としてきた同社の事業領域がDRAM本体の製造まで広がり、大手3社が中心となっているメモリ市場の競争環境にも影響を与えそうだ。

なお、現時点でTSMCおよびNVIDIAによる正式発表はなく、計画は検討段階にある。

文： 編集部 松枝 清顕
TSMC（Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited）： https://www.tsmc.com/