最終更新日 2024年4月25日 17:28
データ処理速度が78%向上した次世代メモリ「HBM3」がSK hynixから
2021年10月21日
SK hynix、EUV装置を用いた1Anm世代の8Gb LPDDR4モバイルDRAMを量産開始
2021年7月13日
SK hynix、業界最大18GBの大容量スマホ向けLPDDR5メモリの量産開始
2021年3月8日
SK hynix、176層の高密度「4D TLC NANDフラッシュ」の開発に成功
2020年12月7日
SK hynix、IntelのNANDフラッシュメモリ事業を90億ドルで買収
2020年10月20日
SK hynix、世界初の「DDR5 DRAM」モジュール発表
2020年10月6日
128層NANDフラッシュ採用のNVMe M.2 SSD、SK Hynix「Gold P31」
2020年8月19日
最高6,500MB/secのPCIe4.0対応エンタープライズSSD、SK Hynix「PE8000」シリーズ
2020年4月8日
SK Hynix、1Znm世代の16Gb DDR4 DRAMチップの開発に成功
2019年10月21日
SK Hynix、完全インハウス設計のSATA3.0対応SSD「Gold S31」シリーズ
2019年8月16日
SK Hynix、帯域幅460GB/secの新型ビデオメモリ「HBM2E」発表
SK Hynix、世界初の128層1Tb 4D TLC NANDフラッシュの量産開始
2019年6月26日
SK Hynix、独自IC採用のエンタープライズ向け省電力NVMe SSDを準備中
2019年6月20日
SK Hynix、4D NAND技術を採用した96層1Tb QLC NANDのサンプル出荷開始
2019年5月10日
SK Hynix、5,200Mbps駆動のJEDEC準拠DDR5 DRAMメモリを発表
2018年11月16日