CBA技術を活用した第8世代BiCS FLASHを採用

キオクシア株式会社（本社：東京都港区）は2025年7月9日、次世代モバイル機器向けに開発している「UFS 4.1対応組み込み式フラッシュメモリ」について、サンプル出荷の開始を発表した。

オンデバイスAI機能を持つハイエンド・スマートフォンなど、次世代モバイル機器向けに開発している最新世代の組み込み式フラッシュメモリ。容量は256GB/512GB/1TBをラインナップしている。

3次元フラッシュメモリBiCS FLASHとコントローラをJEDEC規格の小型BGAパッケージに収めた製品で、CMOS directly Bonded to Array（CBA）技術を活用した第8世代BiCS FLASHを採用。別々のウエハーで製造したCMOS回路とメモリセルアレイを貼り合わせることで、電力効率・性能・bit密度を大幅に向上させている。

前世代のUFS 4.0対応製品と比較して、ランダム読込速度が最大約45％（512GB）、ランダム書込速度が約30％（512GBおよび1TB）向上。さらに電力効率も読込時約15％、書込時約20％向上しているという。また、ホスト主導のデフラグメンテーション機能によりガベージコレクションの実行タイミングを制御、重要な場面において高速性能が維持できるとされる。

そのほか、WriteBooster バッファのリサイズ機能によりパフォーマンスを最適化する柔軟性も向上。1TBモデルのパッケージ高も前世代製品に比べて削減されているといった違いもある。

文： 編集部 絵踏 一
キオクシア株式会社： https://www.kioxia.com/ja-jp/