前世代から帯域幅が2倍に拡大、電力効率も大幅改善

SK hynix（本社：韓国）は2025年9月12日（現地時間）、最新世代の高帯域幅メモリ「HBM4」の開発完了および世界初となる量産体制の構築を発表した。

今年3月にサンプル出荷がアナウンスされていた、最新世代のHBM（High Bandwidth Memory）が量産開始。HBM3Eに続く第6世代のHBMで、前世代の倍にあたる2,048のデータI/Oを採用することで帯域幅が2倍に拡大、電力効率も40％以上改善したという。動作速度はJEDEC標準の8Gbpsを上回る10Gbpsを達成した。

また、HBM4には前世代でも導入された独自パッケージング技術「Advanced MR-MUF」方式を採用。DRAMを積層する間に液体形態の保護剤を注入して固めることで、チップの反りを防ぎ放熱性を向上させている。

文： 編集部 絵踏 一
SK hynix： https://www.skhynix.com/