96層のTLC 3D NANDフラッシュも開発中

IntelおよびMicronは、業界初となる4bit（QLC）セルを採用する3D NANDフラッシュの生産および出荷を開始したことを発表した。

今回発表されたQLC 3D NANDフラッシュは64層構造を採用し、NANDメモリとしては世界最高密度となる1Tb/ダイを実現。これにより、より省スペースかつ大容量のストレージが可能となり、主に読込集中型のクラウド系ワークロードシステムや、コンシューマ・クライアントPCのコストを大幅に削減できるようになる。

またTLC 3D NANDフラッシュの新モデルとして、96層積層構造の第3世代モデルも開発中。従来の64層TLC 3D NANDフラッシュから積層数は50％アップしており、世界最高のダイ面積あたりの容量（GB/mm2）を実現できるようになるという。

文： エルミタージュ秋葉原編集部 池西 樹
Intel Corporation： http://www.intel.com/
Micron Technology： http://www.micron.com/