Samsung、生産性が20%以上も向上した第3世代10nmクラスDDR4メモリを発表

2019.03.22 18:00 更新

2019.03.21 配信

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Samsung Electronics Co., Ltd,(本社:韓国)は2019年3月21日(現地時間)、生産性を20%以上高めた「第3世代10nmクラスDDR4メモリ」を発表した。なお量産開始は2019年後半より開始される予定だ。
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1z-nm製造プロセスを採用したDDR4メモリ

Samsung Develops Industry’s First 3rd-generation 10nm-Class DRAM for Premium Memory Applications
https://news.samsung.com/us/samsung-develops-industrys-first-3rd-generation-10nm-class-dram-premium-memory-applications/

Samsungは、業界初となる第3世代10nmクラスDDR4メモリを発表した。製造プロセスは1z-nmで、「Extreme Ultra-Violet」(EUV)露光技術は非採用。

今回発表されたメモリは容量8Gbで、従来の第2世代(1y-nmプロセス)DRAMに比べて生産性は20%以上も向上。さらにパフォーマンスや電力効率も改善されており、2020年に登場予定の次世代エンタープライズサーバーやハイエンドPCに対応する。

なおSamsungによれば、第3世代10nm世代メモリは現在CPUメーカーとの検証を進めており、2019年後半には量産が開始される予定だ。

文: エルミタージュ秋葉原編集部 池西 樹
Samsung Electronics Co., Ltd,: http://www.samsung.com/

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