書込速度はeFlashの約1,000倍。Samsung、高速不揮発性メモリ「eMRAM」の量産開始

2019.03.06 19:00 更新

2019.03.06 配信

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Samsung Electronics Co., Ltd,(本社:韓国)は2019年3月6日、28nm FD-SOIプロセスを採用した高速不揮発性メモリ「eMRAM」の量産開始を発表した。
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28nm FD-SOIプロセスを採用した高速不揮発性メモリ

Samsung Electronics Starts Commercial Shipment of eMRAM Product Based on 28nm FD-SOI Process
https://news.samsung.com/global/samsung-electronics-starts-commercial-shipment-of-emram-product-based-on-28nm-fd-soi-process

Samsungは、28nmプロセスの完全空乏型シリコンオンインシュレータ(FD-SOI)を採用した初の商用向け「eMRAM」(磁気ランダムアクセスメモリ)の量産を開始したと発表した。

今回量産が開始された「eMRAM」では、NAND FlashやNOR Flashと異なりデータ書き込み時に消去サイクルが必要ないことから、書込速度は約1,000倍も高速。さらに電圧も低く、パワーオフモード時には電力を消費しないため、電力効率も大幅に向上できる。

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書込速度は、NAND FlashやNOR FlashなどのeFlashより約1,000倍も高速 書き込み時の電力消費も、旧世代の組み込み向けメモリの1/400に抑えられるという

またトランジスタ制御やボディバイアス制御の改良によりリーク電流も大幅に低減しており、「MCU」(マイクロコントローラユニット)や「IoT」(モノのインターネット)、「AI」(人工知能)など、さまざまなアプリケーションに活用できるとしている。

なおSamsungでは、「eMRAM」の高密度・大容量化を進めており、今年中に容量1Gbのテストチップをテープアウトできる予定とのこと。

文: エルミタージュ秋葉原編集部 池西 樹
Samsung Electronics Co., Ltd,: http://www.samsung.com/

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