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3D V-NAND TLC採用のSATA3.0 SSD、Samsung「SSD 850 EVO M.2/mSATA」発売開始


2015年4月17日 09:00 更新 2015年4月17日プレスリリース
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日本サムスン株式会社(本社:東京都港区)販売特約店ITGマーケティング株式会社(本社:東京都港区)は2015年4月17日、3D V-NAND TLCを採用する「SSD 850 EVO M.2/mSATA」シリーズについて、国内市場向け取り扱い開始を発表した。容量ラインナップはM.2が120GB~500GB、mSATAが120GB~1TBで、4月17日より順次発売が開始される。
  • SSD 850 EVO M.2
    SSD 850 EVO M.2シリーズ
  • SSD 850 EVO mSATA
    SSD 850 EVO mSATAシリーズ

M.2/mSATAフォームファクタに対応するSATA3.0 SSD

SSD 850 EVO M.2シリーズ(4月17日より順次発売)
MZ-N5E120B/IT(120GB) 市場想定売価税込11,800円
MZ-N5E250B/IT(250GB) 市場想定売価税込17,800円
MZ-N5E500B/IT(500GB) 市場想定売価税込32,800円
http://www.itgm.co.jp/product/ssd850evo-m.2/
SSD 850 EVO mSATAシリーズ(4月17日より順次発売)
MZ-M5E120B/IT(120GB) 市場想定売価税込11,800円
MZ-M5E250B/IT(250GB) 市場想定売価税込17,800円
MZ-M5E500B/IT(500GB) 市場想定売価税込32,800円
MZ-M5E1T0B/IT(1TB) 市場想定売価税込69,800円
http://www.itgm.co.jp/product/ssd850evo-msata/

4月1日付けのグローバルリリースで既報の、M.2/mSATAフォームファクタに対応する「SSD 850 EVO」シリーズの国内発売が、本日4月17日より順次開始される。

NANDフラッシュには、メモリセルを積層させた3D V-NAND技術のTLCメモリを採用。さらに低容量モデルでも高速な書込を可能にする「ターボライトテクノロジー」と、メインメモリを高速化キャッシュとして利用する「エンハンストRAPIDモード」により、読込・書込とも高速なアクセスを実現した。

M.2フォームファクタモデルは120GB、250GB、500GBの計3種。転送速度は、シーケンシャル読込540MB/sec、書込500MB/sec。ランダム読込97,000 IOPS、書込89,000 IOPS。mSATAフォームファクタモデルは120GB、250GB、500GB、1TBの計4種。転送速度はシーケンシャル読込540MB/sec、書込520MB/sec、ランダム読込97,000 IOPS、書込88,000 IOPS。

いずれも書込耐性は500GB以上が150TBW、500GB未満が75TBW、MTBFは150万時間で、保証期間は5年間。なお製品にはデータ移行ソフトウェア「Samsung Data Migration Ver2.7」と、ユーティリティソフトウェア「Samsung Magician Software Ver4.6」が付属する。


TEXT: GDM編集部 池西 樹
ITGマーケティング株式会社
http://www.itgm.co.jp/
日本サムスン株式会社
http://www.samsung.com/
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