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| ［発表］ エルピーダ、台湾レックスチップにR&Dセンターを設立 |
| 2010年1月6日 18:50更新 |
2010年1月5日プレスリリース |
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 エルピーダメモリ株式会社（東京都中央区）は、2010年第1四半期にRexchip Electronics Corporation（瑞晶電子：台湾）でR&Dセンターを設立し、次世代の4F2メモリセルを適用した40nmプロセス技術を共同開発する事を発表した。
■4F2メモリセルを適用した40nmプロセス技術を共同開発
【以下：台湾レックスチップ社発表プレスリリース抄訳】
Rexchip Electronics Corporation（瑞晶電子 以下、レックスチップ）は、先端テクノロジーを採用した300mmファブにおいて大容量、高性能DRAMを製造しており、台湾における優良なDRAM製造会社としてトップクラスの地位を確立しています。
レックスチップとエルピーダメモリ株式会社（以下、エルピーダ）は、2010年第1四半期にレックスチップでR&Dセンターを設立し、次世代の4F2メモリセルを適用した40nmプロセス技術を共同開発します。まずはレックスチップにて、この新プロセスの前工程生産技術の開発を行い、段階的にレックスチップをPC向けDRAMの開発に特化した台湾の設計拠点とする計画です。これにより、台湾におけるDRAMプロセス技術確立の第一歩を踏み出すことができます。
レックスチップは、2010年に6F2メモリセルを適用した40nmプロセスへの移行、および同技術を採用した2GビットDDR3製品の量産を計画しています。現在の計画では、2010年末までにレックスチップの生産能力（300mmウェハ：月産8万枚）をすべて6F2 40nmプロセスへ切り替える予定です。なお、DRAM需要が期待ほど伸びない場合は、生産能力の半分を40nm 化し、残りを65nm XSプロセスへ転換する予定です。この65nm XS品のチップサイズは、他社の50nmプロセス品と同等レベルを実現しており、十分なコスト競争力を備えています。一方、エルピーダの広島工場では、6F2 40nmプロセス製品が予想を上回る高い歩留まりを達成しており、2009年末には量産投入を開始しております。エルピーダは、まず初めに広島工場の生産能力（300mmウェハ：月産13万枚）の半分を6F2 40nmプロセスへ切り替え、市況次第では更なる40nm化を進めてまいります。
6F2 40nmプロセス技術は、チップサイズの縮小により65nmプロセス比でチップコストを50%削減できます。業界最先端の40nmプロセスは、最小チップサイズ、高性能、低消費電力を実現するDDR3製品の提供を可能にします。台湾DRAM業界をリードするレックスチップは、新たに設立するR&Dセンターにおいて、エルピーダとともにこのプロセス技術の向上に努め、競争優位性を維持していきます。また、エルピーダは今後のDRAM市況によっては台湾のビジネスパートナーであるPowerchip Semiconductor Corporation、Winbond Electronics Corp.、ProMOS Technologies Inc.にもこの40nmプロセスを展開します。今回のR&Dセンターの設立により両社は、開発コストの低減ならびに高効率な製品の製造、生産能力の最適化といったWin-Winの関係を築いてまいります。 |
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TEXT：G&D matrix 松枝 清顕
エルピーダメモリ株式会社
http://www.elpida.com/
Rexchip Electronics Corporation
http://www.rexchip.com/
■エルピーダ、PSCとの合弁会社「Rexchip Electronics Corporation」を子会社化(2009/3/18)
http://www.gdm.or.jp/pressrelease/200903/09031704.html
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