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2008年11月26日
■エルピーダメモリ株式会社、50nmプロセスDDR3 SDRAM開発を完了、 世界最小電力、2.5Gbpsの超高速動作、1.2V低電圧駆動を世界最小チップで実現 |
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エルピーダメモリ株式会社（東京都中央区）は、世界最小水準の消費電力、超高速2.5Gbps動作、1.2V低電圧駆動を世界最小のチップサイズで実現した50nmプロセスDDR3 SDRAMの開発を予定通り完了したと発表した。
50nmプロセスDDR3 SDRAMは、世界最新のArF液浸露光および銅配線技術を適用、チップサイズは40mm2以下を実現。DDR3標準の電源電圧1.5Vに加え、1.35V低電圧仕様、さらなる低電圧の1.2Vにも対応し、サーバ、データセンター等の高密度メモリシステムの低消費電力化に貢献するエコフレンドリーDRAMとしている。
50nmプロセスDDR3 SDRAMの特徴は以下通り。
・データレート：800Mbps/1066Mbps/1333Mbps/1600Mbps/1866Mbps/2133Mbps/2500Mbps
・電源電圧：1.2V/1.35V/1.5V
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70nmプロセス品に較べ、消費電力は最大50%低減（IDD4）
なお50nmプロセスDDR3 SDRAMは、2009年1-3月期の量産開始を予定している。 |
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(TEXT：G&D matrix 松枝 清顕)
・プレスリリース（エルピーダメモリ株式会社）
http://www.elpida.com/ja/news/2008/11-26.html
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