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プレスリリース
[業界動向] エルピーダ、世界最小面積、最少消費電流の30nm 2GビットDDR3 SDRAM開発完了
2010年9月29日 13:19 更新
2010年9月29日プレスリリース
業界動向
 
ELPIDA エルピーダメモリ株式会社(本社:東京都中央区)は2010年9月29日、30nmプロセスの2GビットDDR3 SDRAM開発完了を発表した。


■DDR3-1866MHz、低電圧(1.35V)対応の2Gビット DDR3開発完了

世界最小面積、最少消費電流の30nmプロセス2GビットDDR3 SDRAM開発完了
http://www.elpida.com/ja/news/2010/09-29.html

 9月29日付けプレスリリースによると、エルピーダメモリ株式会社は30nmレベルの最先端微細加工技術を用いた世界最小レベルの面積を実現した2GビットDDR3 SDRAM開発の完了を発表した。今後モバイルDRAMにも適用し、TSV(Si貫通電極)を用いた携帯電話、デジタルカメラ、PC用DRAM等の1チップメモリソリューションへの展開が予定されている。

 2GビットDDR3 SDRAMは、DDR3-1866MHz、低電圧(1.35V)駆動に対応。世界最小レベルの消費電力を達成(同社40nm品比で動作時約15%減、待機時約10%減)した。今後、PCやデジタル家電機器の消費電力軽減に貢献するとしている。

 なお30nmプロセス2GビットDDR3 SDRAMは2010年12月にサンプル出荷、12月中の量産開始が予定されている。

TEXT:GDM編集部 松枝 清顕

エルピーダメモリ株式会社
http://www.elpida.com/ja/index.html

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