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PressRelease
2008年12月10日

■インテル、次世代の 32nm プロセス技術開発を完了
 
 インテルコーポレーション(本社アメリカ・カリフォルニア州)は、12月9日付けで次世代の製造技術である32nm(ナノメートル)プロセス技術による半導体チップの開発を完了したと発表した。
  これにともない、2009年第4四半期の量産に向けて順調に進んでいるという。

  また12月15日〜17日にアメリカ・カリフォルニア州サンフランシスコ開催される国際電子デバイス会議 (IEDM)にて、32nm プロセス技術に関する数多くの技術的詳細や関連技術の発表を行う。

  32nm製造プロセス技術は、第2世代のHigh-k/メタルゲート技術と、クリティカル層のパターン露光に用いる幅 193nm の液浸リソグラフィーを採用し、CPUの性能と電力効率を向上させるという。

(TEXT:G&D matrix 松枝 清顕)

・プレスリリース(インテル)
http://www.intel.co.jp/jp/intel/pr/press2008/081210.htm


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32nmプロセス技術開発を完了したインテル
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