Samsung、Toggle DDR 4.0採用の第5世代V-NANDフラッシュ量産開始

2018.07.10 17:00 更新

2018.07.10 配信

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Samsung Electronics Co., Ltd,(本社:韓国)は2018年7月10日、インターフェイスにToggle DDR 4.0を採用する第5世代V-NANDフラッシュの量産開始を発表した。
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64層の先代V-NANDから転送速度は40%向上

Samsung Electronics Brings Next Wave of High-Performance Storage with Mass Production of Fifth-Generation V-NAND
https://news.samsung.com/global/samsung-electronics-brings-next-wave-of-high-performance-storage-with-mass-production-of-fifth-generation-v-nand

Samsungは、業界初となるToggle DDR 4.0インターフェイスを採用する第5世代V-NANDフラッシュの量産開始を発表した。

最新インターフェイスの採用により、ストレージとメモリ間のデータ転送速度は64層チップの先代モデルから40%高速な1.4Gbpsを達成。データ書き込み速度も約30%改善され500μsに、読込の応答速度も50μs短縮されているという。

さらに業界最大90層以上の3D CTF(Charge Trap Flash)をピラミッド構造で搭載することでる850個以上のセルを内蔵。一方、動作電圧は1.8Vから1.2Vへと削減され、エネルギー効率は先代と同等レベルに抑えることに成功した。

また原子層堆積プロセスの強化により生産性は30%以上向上している他、各セル層の高さは20%削減され、セル間のクロストークを防ぎ、チップのデータ処理効率も高められている。

なお今回発表された製品は256GbitのTLCタイプだが、同社では1Tbitの大容量モデルやQLCタイプの第5世代V-NANDを準備中だ。

文: エルミタージュ秋葉原編集部 池西 樹
Samsung Electronics Co., Ltd,: http://www.samsung.com/

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