IntelとMicron、2.5インチで10TB超を実現する大容量NAND「3D NANDフラッシュ」発表

2015.03.27 12:00 更新

2015.03.26 配信

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SSD
Intel Corporation(本社:アメリカ カリフォルニア州)およびMicron Technology(本社:アメリカ アイダホ州)は2015年3月26日(現地時間)、フラッシュセルを32層積層させた「3D NANDフラッシュ」を発表した。ダイあたり最大48GBのNANDフラッシュを作成でき、2.5インチサイズなら10TB以上の大容量ストレージを実現できる。
  • IntelとMicron、2.5インチで10TB超を実現する大容量NAND「3D NANDフラッシュ」発表
  • IntelとMicron、2.5インチで10TB超を実現する大容量NAND「3D NANDフラッシュ」発表

ダイあたり最大48GBの大容量NANDフラッシュが登場

インテルとマイクロン、新しい 3 次元 NAND 型フラッシュメモリーを発表
http://newsroom.intel.com/community/ja_jp/blog/2015/03/26/
Micron and Intel Unveil New 3D NAND Flash Memory
http://news.micron.com/releaseDetail.cfm?ReleaseID=903522

IntelおよびMicronは、フラッシュセルを32枚積層させた「3D NANDフラッシュ」を発表した。

超高精細なセルレイヤーを積層することで、競合のNAND技術に比べて容量を3倍に拡張しているのが特徴。MLCならダイあたり32GB、TLCなら48GBのNANDフラッシュを作成でき、mSATAやM.2のようなスティック型で3.5TB、2.5インチであれば10TBを超える大容量SSDを実現できるとしている。

またこれまでの平面構造NANDに比べて、帯域幅が拡大されシーケンシャル性能が向上。またランダム読込の高速化、スタンバイモードによる省電力性の向上、ギガバイトあたりのコストパフォーマンスの向上といったメリットがある。

なお32GB MLCは本日から、48GB TLCは今春後半からそれぞれサンプル出荷がスタート。NANDフラッシュの量産は2015年第4四半期で、対応SSDは2016年より量産製品の提供が開始される予定。

文: GDM編集部 池西 樹
Intel Corporation: http://www.intel.co.jp/
Micron Technology: http://www.micron.com/

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